解説［ＬＳＩ製造］〜追加マスクは２枚　セル面積をＳＲＡＭの１／３以下に
日経マイクロデバイス　第212号　2003.2.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第212号（2003.2.1）
ページ数	2ページ　（全2471字）
形式	PDFファイル形式　（190kb）
雑誌掲載位置	100〜101ページ目

　追加マスク枚数がわずか２枚のＦｅＲＡＭ混載技術を米Ｔｅｘａｓ　Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ　Ｉｎｃ．（ＴＩ）が開発した。１３０ｎｍプロセスでの開発を終え，９０　ｎｍプロセスでの開発を進めている３）。１３０ｎｍプロセスでは４Ｍビット品と６４　Ｍビット品を試作し，評価も済ませた。　開発した混載技術の特徴は，追加マスク枚数を２枚に抑えたことに加えて，ＳＲＡＭに比べてセル面積を縮小したこと，ロジック部の性能が…