解説［ＬＳＩ製造］〜微細化で徹底的に先行　ＳＯＩとの組み合わせも準備
日経マイクロデバイス　第212号　2003.2.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第212号（2003.2.1）
ページ数	2ページ　（全1831字）
形式	PDFファイル形式　（336kb）
雑誌掲載位置	94〜95ページ目

　ＤＲＡＭ混載を前提に６５ｎｍプロセスを他社に先駆けて実用化する東芝は，４５ｎｍ以降のプロセスでも最先端を走る計画である１）。４５ｎｍ以降のＤＲＡＭ混載に必要と同社が見る「部分ＳＯＩ技術」の開発も着々と進めており，すでに一部の評価を終えた段階だという。他社に先行することで，ＤＲＡＭ混載技術が欠かせなくなる応用で優位に立つ。混載前提の開発体制へ変更　東芝が見込むＤＲＡＭ混載技術の応用は，高精細かつ高…