解説［ＬＳＩ製造］〜ＤＲＡＭでＳＲＡＭ代替　速度同等，電力は削減
日経マイクロデバイス　第212号　2003.2.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第212号（2003.2.1）
ページ数	2ページ　（全2658字）
形式	PDFファイル形式　（336kb）
雑誌掲載位置	96〜97ページ目

　３１４ＭＨｚとＳＲＡＭ並みに高速のランダム・アクセス動作を実現する一方，セル面積はＳＲＡＭの１／５以下と小さい。このような１３０ｎｍのＤＲＡＭ技術をＮＥＣエレクトロニクスが開発した。既存の混載ＳＲＡＭの置き換えを狙う。　今回のＤＲＡＭ混載技術を使って開発した６４Ｍビット混載の場合，セル面積は０．３５μｍ２である。既存のＳＲＡＭなら２．４μｍ２と大きくなるところである。しかも消費電力はＳＲＡＭに比…