解説［ＬＳＩ製造］〜９０ｎｍ混載メモリー　市場で完成度を競う
日経マイクロデバイス　第212号　2003.2.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第212号（2003.2.1）
ページ数	3ページ　（全2687字）
形式	PDFファイル形式　（336kb）
雑誌掲載位置	91〜93ページ目

混載メモリーＤＲＡＭ不揮発性メモリー９０ｎｍプロセスのメモリー混載技術を先行メーカーが続々と実用化する。これまでとは変わり，９０ｎｍ時代では具体的な応用製品のニーズに対応した上で完成度を競うことになる。東芝とＮＥＣがそれぞれ実用化するＤＲＡＭ混載技術は，サーバーやゲーム機などのハイエンド機器がターゲットになる。米Ｔｅｘａｓ　Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ　Ｉｎｃ．は，携帯電話機や携帯型情報端末を想定し低消…