Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ Ｐａｒｔ１〜ＴＳＶベースの３次元化が半導体の基盤技術に
日経マイクロデバイス 第286号 2009.4.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第286号（2009.4.1） |
|---|---|
| ページ数 | 4ページ （全2390字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （673kb） |
| 雑誌掲載位置 | 22〜25ページ目 |
Ｊｅｒｏｍｅ ＢＡＲＯＮ仏Ｙｏｌｅ Ｄｅｖｅｌｏｐｐｅｍｅｎｔ社Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｍａｒｋｅｔｉｎｇ Ａｎａｌｙｓｔ − ＭＥＭＳ ＆ Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｐａｃｋａｇｉｎｇ ＴＳＶ（Ｓｉ貫通ビア）を使った３次元積層技術は，半導体の一般的な製造技術として使われるようになると考えている。現在の応用先のほとんどはＣＭＯＳイメージ・センサーだが，２０１０年から市場規模の大きなメモリーにも広がっていくと…
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