Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ とびら〜ＴＳＶが本流となる条件 ３次元積層技術の普及シナリオ
日経マイクロデバイス 第286号 2009.4.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第286号（2009.4.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1237字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （284kb） |
| 雑誌掲載位置 | 17ページ目 |
複数のＳｉチップを積層させてデバイスを飛躍的に高性能化・小型化するＴＳＶ（Ｓｉ貫通ビア）技術。この実用化が２００９〜２０１０年に相次ぐ。既にＣＭＯＳイメージ・センサーの小型化のために量産適用されている。今後，高速なＤＲＡＭやＳｏＣ（ｓｙｓｔｅｍ ｏｎ ａ ｃｈｉｐ），高性能プロセサへと応用範囲を広げる。さらに，出荷数量が多い汎用ＤＲＡＭやＮＡＮＤ型フラッシュ・メモリーにまでその範囲が広がる可能性が…
記事の購入（ダウンロード）
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 330円（税込）
他のIDで購入する
G-Search ミッケ！は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「1ページ（全1237字）」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
（注）特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。
Ｋｅｙ Ｗｏｒｄ キー・ワード〜『超多値化技術』
Ｋｅｙ Ｐｅｒｓｏｎ キー・パーソン〜生産効率の追求だけではリスクがある
Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ Ｐａｒｔ１〜Ｐａｒｔ１ ＴＳＶの普及シナリオ
Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ Ｐａｒｔ１〜ＴＳＶベースの３次元化が半導体の基盤技術に
Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ Ｐａｒｔ２〜Ｐａｒｔ２ 製造技術の低コスト化
