Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ Ｐａｒｔ１〜Ｐａｒｔ１ ＴＳＶの普及シナリオ
日経マイクロデバイス 第286号 2009.4.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第286号（2009.4.1） |
|---|---|
| ページ数 | 4ページ （全4532字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （649kb） |
| 雑誌掲載位置 | 18〜21ページ目 |
ＴＳＶ（Ｓｉ貫通ビア）を普及させるための条件が見えてきた。ＴＳＶの形成に必要な加工コストの大幅な低減である。元来，ＴＳＶを使った３次元化技術は，デバイスの性能の形成向上を狙って開発された。しかし応用先は，イメージ・センサーをはじめとするコスト重視のデバイスにも広がっている。今後，コスト重視デバイスのうち出荷数量の大きなメモリーに普及することで，ＴＳＶは半導体の基盤技術として定着する。普及に向けてク…
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