Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜富士通の４５ｎｍ低リーク版ＣＭＯＳポーラスｌｏｗ−ｋ膜の適用を拡大
日経マイクロデバイス 第266号 2007.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第266号（2007.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全330字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （322kb） |
| 雑誌掲載位置 | 119ページ目 |
富士通研究所と富士通は共同で，４５ｎｍ世代の低リーク電力版（ＬＳＴＰ：ｌｏｗ ｓｔａｎｄｂｙ ｐｏｗｅｒ）ＣＭＯＳ向けプロセス技術を「２００７ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ ＶＬＳＩ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」で発表した（論文番号１０Ａ−１）。高温アニール・プロセスを改良することで，ＦＥＴのリーク電流を低減した。今回，開発グループが改良したのは，レーザー・アニールの適用方法である。従来は，高温アニールの…
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