Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜ｈｉｇｈ−ｋ／メタル・ゲートで議論白熱仕事関数の制御手法が相次ぐ
日経マイクロデバイス 第266号 2007.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第266号（2007.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全352字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （322kb） |
| 雑誌掲載位置 | 119ページ目 |
米Ｉｎｔｅｌ Ｃｏｒｐ．と米ＩＢＭ Ｃｏｒｐ．が２００７年１月末に実用化を宣言したメタル・ゲート／高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）ゲート絶縁膜に関する議論が白熱している。講演初日と２日目午前中までに，関連発表が５件あった。そのうち２件は，メタル・ゲートの実効的な仕事関数を下げてｎＭＯＳのしきい電圧を適切な値まで下げる技術である。ゲート絶縁膜上にＩＩ属およびＩＩＩ属の金属元素やその酸化物を堆積させる手法を…
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