Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜ルネサスのＳＯＩ−ＳＲＡＭボディ電位の個別制御で動作マージンを向上
日経マイクロデバイス 第266号 2007.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第266号（2007.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全344字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （322kb） |
| 雑誌掲載位置 | 119ページ目 |
ルネサス テクノロジは，ＳＯＩ基板を使う６Ｔ（トランジスタ）型ＳＲＡＭの動作マージンを向上させる手法を開発し，「２００７ Ｓｙｍ−ｐｏｓｉｕｍ ｏｎ ＶＬＳＩ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」で発表した（講演番号５Ｂ−２）。ＳＲＡＭを構成するＭＯＳ ＦＥＴのボディ電位を個別に動的制御する。６５ｎｍプロセスの２Ｍビットの試作チップで，読み出しマージンが１６％，書き込みマージンが２０％向上することを実証した。…
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