Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜チャネル温度２００℃とドレイン電圧５０ＶでＧａＮ ＨＥＭＴの寿命を１００年に
日経マイクロデバイス 第266号 2007.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第266号（2007.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全251字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （322kb） |
| 雑誌掲載位置 | 119ページ目 |
富士通研究所は，ＧａＮ，ＨＥＭＴ（高電子移動度トランジスタ）の信頼性を高める技術を開発した。２００℃の高温で使用しても，ドレイン電圧５０Ｖで１００年を超える世界一の長寿命を達成できるという。衛星通信や次世代携帯電話基地局，「ＷｉＭＡＸ」基地局など高速通信機器に用いられる高出力アンプへの適用を目指しており，既に量産化にメドを付けたとする。今回，同社は新開発した素子に３００℃を超える高温ピンチオフ試…
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