Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜「３０ｎｍ世代まではＭＯＮＯＳより浮遊ゲート」東芝がＮＡＮＤセルの将来を議論
日経マイクロデバイス 第266号 2007.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第266号（2007.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全472字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （322kb） |
| 雑誌掲載位置 | 118ページ目 |
「３０ｎｍ世代までは，ＭＯＮＯＳ（ｍｅｔａｌ−ｏｘｉｄｅ −ｎｉｔｒｉｄｅ−ｏｘｉｄｅ−ｓｉｌｉｃｏｎ）構造より浮遊ゲート構造の方が有利」。「２００７ ＶＬＳＩ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｓｈｏｒｔ Ｃｏｕｒｓｅ」における「Ｓｃａｌｉｎｇ Ｃｈａｌｌｅｎｇｅ ｉｎ ＮＡＮＤ Ｆｌａｓｈ」と題する講演で，東芝のＫａｚｕｍｉ Ｉｎｏｈ氏はＮＡＮＤ型フラッシュ・メモリー向けセルの将来動向をこのように予測し…
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