Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜Ｓａｍｓｕｎｇが３０ｎｍ世代の６４Ｇビット多値ＮＡＮＤ型フラッシュ向け統合技術自己整合２重露光など
日経マイクロデバイス 第266号 2007.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第266号（2007.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全444字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （322kb） |
| 雑誌掲載位置 | 118ページ目 |
韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．は，３０ｎｍ世代の６４ＧビットＮＡＮＤ型フラッシュ・メモリーの実現に向けた統合技術を「２００７ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ ＶＬＳＩ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」で発表した。同社は３０ｎｍ世代に微細化するために，光源波長１９３ｎｍのＡｒＦ露光のダブル・パターニング（２重露光）技術と自己整合技術を組み合わせた「Ｓｅｌｆ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｄｏｕｂｌ…
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