Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜東芝が４ビット／セルのＮＡＮＤ型フラッシュ・メモリーを開発書き込み速度は０．６２Ｍバイト／秒
日経マイクロデバイス 第266号 2007.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第266号（2007.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全404字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （322kb） |
| 雑誌掲載位置 | 118ページ目 |
東芝は，４ビット（１６値）／セルの多値化技術を導入した７０ｎｍ世代の１６ＧビットＮＡＮＤ型フラッシュ・メモリーを開発し，６月１１日から京都で開催された「２００７ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ ＶＬＳＩ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ」で発表した（論文番号１８−５）。同メモリーのデータ書き込み速度は０．６２Ｍバイト／秒である。２ビット（４値）／セル品が１０Ｍバイト／秒以上を達成しているのに比べて遅いが，１６値の多値…
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