Tech−On!Ranking[LSI]〜台湾TSMC,65nm世代のDRAM混載LSIを4月から本格展開
日経マイクロデバイス 第264号 2007.6.1
掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第264号(2007.6.1) |
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ページ数 | 2ページ (全441字) |
形式 | PDFファイル形式 (308kb) |
雑誌掲載位置 | 96〜97ページ目 |
台湾Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.,Ltd.(TSMC)は,65nm世代のDRAM混載LSIの製品群を2007年4〜6月期に拡充する。既に製造している携帯機器向け低電力版(LP)に加え,パソコンや家電向けの汎用版(GP)の量産を始める。同社は,2005年に90nm品の提供を開始して以来,DRAM混載LSIの引き合いが「急速に強まっている」(TSMCジ…
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