Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜電荷キャリヤ分布を約１ｎｍの精度で測定東芝が４５ｎｍ以降向けに開発
日経マイクロデバイス 第264号 2007.6.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第264号（2007.6.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全337字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （308kb） |
| 雑誌掲載位置 | 96ページ目 |
東芝は，素子の性能を左右する電荷キャリヤの分布を約１ｎｍの精度で測定できる走査型広がり抵抗顕微鏡（ＳＳＲＭ）を開発した。同社は既に，今回のＳＳＲＭを４５ｎｍ世代以降のＬＳＩ開発に適用している。４５ｎｍ世代以降のＬＳＩでは，不純物のキャリヤ分布のわずかな違いで素子の漏れ電流の増大などにつながるため，チャネル部分の電荷キャリヤ濃度などを１ｎｍレベルの精度で制御する必要がある。しかし現状のＳＳＲＭでは…
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