Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜韓国Ｈｙｎｉｘがメモリー新工場４８ｎｍ技術でＮＡＮＤ型フラッシュ量産へ
日経マイクロデバイス 第264号 2007.6.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第264号（2007.6.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全235字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （308kb） |
| 雑誌掲載位置 | 97ページ目 |
韓国Ｈｙｎｉｘ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ， Ｉｎｃ．は，韓国忠清北道に３００ｍｍウエーハ対応の新メモリー工場「Ｍ１１」を建設すると発表した。同工場で４８ｎｍプロセス技術を用いてＮＡＮＤ型フラッシュ・メモリーを量産する。新工場は２００８年第２四半期に竣工し，第３四半期に稼働を始める計画である。同社が既に二つの工場を構える清州市工業団地に建設予定で，土地面積は１０万８６８７ｍ２である。投資金額は今…
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