Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜韓国Ｓａｍｓｕｎｇ，Ｓｉ貫通電極でチップ積層した２ＧビットＤＲＡＭを作製
日経マイクロデバイス 第264号 2007.6.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第264号（2007.6.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全454字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （308kb） |
| 雑誌掲載位置 | 96ページ目 |
韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．は，Ｓｉ貫通電極によるＷＳＰ（Ｗａｆｅｒ−Ｌｅｖｅｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｅｄ Ｓｔａｃｋ Ｐａｃｋａｇｅ）技術でチップ積層したＤＲＡＭを開発した。５１２ＭビットのＤＤＲ２規格ＤＲＡＭを４チップ積層した２Ｇビット品である。これを１６個集積して，４Ｇバイト（３２Ｇビット）のＤＩＭＭ（ｄｕａｌ ｉｎ−ｌｉｎｅ ｍｅｍｏｒｙ ｍｏｄｕｌｅ）を作製で…
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