Ｒｅｐｏｒｔ［ＬＳＩ］〜Ｉｎｔｅｌのプロセサ向け４５ｎｍメタル・ゲート／ｈｉｇｈ−ｋを導入
日経マイクロデバイス　第261号　2007.3.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第261号（2007.3.1）
ページ数	1ページ　（全1518字）
形式	PDFファイル形式　（1058kb）
雑誌掲載位置	81ページ目

　米Ｉｎｔｅｌ　Ｃｏｒｐ．は，４５ｎｍ世代のプロセサ向けロジックＬＳＩに，メタル・ゲートと高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）ゲート絶縁膜を採用する注１）。同社は，１５種類を製品化する４５ｎｍ世代のプロセサすべてに，これらの新材料を導入する（図１）注２）。２００７年下期にオレゴン州の「Ｆａｂ　Ｄ１Ｄ」とアリゾナ州の「Ｆａｂ　３２」，２００８年上期にイスラエルの「Ｆａｂ　２８」でそれぞれ量産を始める。今回，Ｉｎ…