Ｒｅｐｏｒｔ［ＬＳＩ］〜実装時のｌｏｗ−ｋ膜対応を競う機械強度や吸湿などの弱点を補完
日経マイクロデバイス 第261号 2007.3.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第261号（2007.3.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2071字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （1829kb） |
| 雑誌掲載位置 | 86〜87ページ目 |
ＬＳＩの微細化と高性能化を両立するために配線部分に使う低誘電率層間絶縁膜（ｌｏｗ−ｋ膜）。従来のＳｉＯ２に比べて劣る機械的強度や吸湿性を補うための技術が，ＬＳＩ製造工程だけでなく実装工程でも必要になっている（図１）。２００７年１月１７〜１９日に東京ビッグサイトで開催された展示会「第８回半導体パッケージング技術展」では，ｌｏｗ−ｋ膜対応を売り物にする実装技術を，富士通やカシオ計算機などの複数のメー…
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