Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜サファイア基板ＬＥＤの 歩留まりを高める個片化技術 ディスコが開発
日経マイクロデバイス 第259号 2007.1.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第259号（2007.1.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全337字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （257kb） |
| 雑誌掲載位置 | 122ページ目 |
ディスコは，サファイア基板を使う高輝度ＬＥＤ（ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）をウエーハから個片化する際の歩留まりを高める技術を開発した。ＧａＮ系ＬＥＤなどに使われるサファイア基板に深さ１５〜３０μｍの溝をレーザーで形成し，圧力を加えてそこを起点に多数のチップに分割する。今回開発した手法では，レーザーの加工精度が高いことから，個片化に伴う歩留まりの低下が生じにくい。従来一般的だったダイ…
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