Ｎｅｗ　Ｐｒｏｄｕｃｔｓ　「セミコン・ジャパン２００６」特集〜４５ｎｍ世代のバリヤー・メタル形成に対応
日経マイクロデバイス　第258号　2006.12.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第258号（2006.12.1）
ページ数	1ページ　（全549字）
形式	PDFファイル形式　（500kb）
雑誌掲載位置	198ページ目

　４５ｎｍ世代のロジックＬＳＩの製造工程に使えるバリヤー・メタル向けＣＶＤ装置（図７）。Ｎｉシリサイド上にバリヤー・メタルとしてＴｉ膜やＴｉＮ膜を形成する用途に適用できる。現在はスパッタリング装置が使われているが，ロジックＬＳＩの微細化が４５ｎｍ世代へ進むことでバリヤー・メタルの段差被覆性の問題が顕著になることから，段差被覆性の高い膜を形成できるＣＶＤ装置の要求が高まっている。しかし，従来のＣＶＤ…