Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ 「セミコン・ジャパン２００６」特集〜直径３０ｎｍの異物や欠陥を検出
日経マイクロデバイス 第258号 2006.12.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第258号（2006.12.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全516字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （500kb） |
| 雑誌掲載位置 | 195ページ目 |
異物や欠陥の検出最小寸法を従来の直径６０ｎｍから直径３０ｎｍに改善したＥＵＶ（ｅｘｔｒｅｍｅ ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）露光用のフォト・マスク基板検査装置（図２）。検出に使うレーザー光の波長を従来の４８８ｎｍから２６６ｎｍに短波長化することによって，異物や欠陥の検出感度を高めた。ＥＵＶ露光用のマスク基板の検査に対応するために，ブランクス表面に形成した反射多層膜の内部の微小な欠陥まで検出できるように…
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