Tech−On!Ranking[LSI]〜韓国Samsungが半導体プロセス技術を発表 論理回路,DRAM,フラッシュを 低コストで1チップ化
日経マイクロデバイス 第254号 2006.8.1
掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第254号(2006.8.1) |
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ページ数 | 1ページ (全491字) |
形式 | PDFファイル形式 (246kb) |
雑誌掲載位置 | 104ページ目 |
韓国Samsung Electronics Co.,Ltd.は,「2006 Symposium on VLSI Technology」で,高性能論理回路,DRAMおよびフラッシュ・メモリーを低コストでSoC化することを狙った半導体プロセス技術を発表した。SOI(silicon on insulator)構造のトランジスタにおける絶縁層の部分をONO(oxide−nitride−oxide)膜に置…
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