Tech−On!Ranking[LSI]〜富士通研と富士通が低消費電力化技術を開発 45nmロジックLSIで30%削減
日経マイクロデバイス 第254号 2006.8.1
掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第254号(2006.8.1) |
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ページ数 | 2ページ (全341字) |
形式 | PDFファイル形式 (246kb) |
雑誌掲載位置 | 104〜105ページ目 |
富士通研究所と富士通は,45nm世代のロジックLSIの低消費電力化技術を開発したと発表した。この技術を使うことで,従来の45nm世代技術より消費電力を約30%低減できるとする。両社によると,今回の低消費電力化は次の三つの技術を組み合わせることで実現する。(1)チャネル抵抗の低減のため,効果の高いひずみSi技術を開発,(2)2層構造のゲート絶縁膜技術を開発,(3)熱処理にレーザー・スパイク・アニー…
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