Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜米Ｉｎｔｅｌが量産可能な ３次元構造のトライゲート・トランジスタ ４５ｎｍ世代より先のプロセサへ適用
日経マイクロデバイス 第254号 2006.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第254号（2006.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全331字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （246kb） |
| 雑誌掲載位置 | 104ページ目 |
米Ｉｎｔｅｌ Ｃｏｒｐ．は，量産可能な３次元構造のトライゲート・トランジスタを試作した。４５ｎｍ世代以降のマイクロプロセサ製造のための基本的な要素技術に位置付ける。従来の平面構造のプレーナ型トランジスタに比べて，動作性能と電力効率の双方を大幅に高められる。同社は今回試作するに当たって，高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）ゲート絶縁膜やメタル・ゲート，ひずみＳｉといった，各種の低消費電力化／高速化技術を組み合…
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