Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜４ビット／セルのフラッシュ・メモリー 韓国Ｓａｍｓｕｎｇが多値技術使わず実現
日経マイクロデバイス 第254号 2006.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第254号（2006.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全358字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （246kb） |
| 雑誌掲載位置 | 104ページ目 |
韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．は，多値技術を使わずに４ビット／セルの窒化膜トラップ型フラッシュ・メモリーを実現した（「２００６ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ ＶＬＳＩ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」，論文番号６．１）。１セルに電荷を蓄えられる領域を４カ所設け，それぞれの電荷の有無で４ビット／セルを実現する。電荷蓄積領域は，セル・トランジスタ中に形成する二つのＯＮＯ膜で構成する…
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