Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜米ＴＩが４５ｎｍ世代の 半導体プロセスの詳細を発表 ２００８年半ばに量産開始へ
日経マイクロデバイス 第254号 2006.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第254号（2006.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全425字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （246kb） |
| 雑誌掲載位置 | 104ページ目 |
米Ｔｅｘａｓ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ Ｉｎｃ．（ＴＩ）は，６月１３日から米国ハワイで開催される「２００６ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ ＶＬＳＩ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」に先立ち，４５ｎｍ世代の半導体プロセス技術の詳細を発表した。携帯電話機向けマイクロプロセサやＤＳＰなど，高性能と低消費電力，高いトランジスタ密度への要求が強い用途に向けた４５ｎｍ製品を，優れたコスト効率で供給できる。６５ｎｍ技術と比べ…
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