Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜ＮＥＣとＮＥＣエレ ４５ｎｍ向けＣｕ／ｌｏｗ−ｋ配線技術を開発
日経マイクロデバイス 第254号 2006.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第254号（2006.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全378字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （246kb） |
| 雑誌掲載位置 | 105ページ目 |
ＮＥＣとＮＥＣエレクトロニクスは，４５ｎｍ世代のＣｕ／ｌｏｗ−ｋ配線技術を開発した（「２００６ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ ＶＬＳＩ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」，講演番号：１４．１）。ゲート長３０ｎｍのＭＯＳ ＦＥＴで構成するリング発振回路に適用し，電源電圧０．９Ｖで５ＧＨｚ動作を実証した。両社が開発したのは，比誘電率（ｋ値）が２．４５の低誘電率（ｌｏｗ−ｋ）膜を使う，ビア径／配線ピッチが７０ｎｍ／１…
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