Tech−On!Ranking[LSI]〜新型不揮発はPRAMとReRAMに集中 MRAMやFeRAMは発表なし
日経マイクロデバイス 第250号 2006.4.1
掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第250号(2006.4.1) |
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ページ数 | 1ページ (全303字) |
形式 | PDFファイル形式 (123kb) |
雑誌掲載位置 | 88ページ目 |
「NVSMW 2006」において,新型不揮発性メモリーの発表はPRAMが4件とReRAMが3件のみだった。かつて新型不揮発のセッションの主役になることが多かったMRAMやFeRAMの発表がなくなり,2000年代に入って開発が活発化した冒頭の二つのメモリーに議論が絞られる。2005年12月に開催された「2005 IEEE International Electron Devices Meeting…
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