Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜高速化が課題のフラッシュ 「２００８年にはＤＤＲ方式が必要」
日経マイクロデバイス 第250号 2006.4.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第250号（2006.4.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全439字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （123kb） |
| 雑誌掲載位置 | 89ページ目 |
「ＮＶＳＭＷ ２００６」の初日の午前のセッションでは，韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． Ｓｅｎｉｏｒ Ｖｉｃｅ ＰｒｅｓｉｄｅｎｔのＫｉ−Ｎａｍ Ｋｉｍ氏の招待講演に注目が集まった。「フラッシュの微細化に多くの障壁があることを認めたうえで，その対策に具体的に言及しているところに逆に同社の自信が垣間見える」（講演を聴いたメモリー技術者）。講演題目は“Ｆｕｔｕｒｅ Ｏｕ…
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