Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜フラッシュ偏重は 「延命への危機感の表れ」 「ＮＶＳＭＷ ２００６」が開催
日経マイクロデバイス 第250号 2006.4.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第250号（2006.4.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全533字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （123kb） |
| 雑誌掲載位置 | 88ページ目 |
不揮発性メモリー技術の国際学会「２１ｔｈ Ｎｏｎｖｏｌａｔｉｌｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｍｅｍｏｒｙ Ｗｏｒｋｓｈｏｐ（ＮＶＳＭＷ ２００６）」が，２００６年２月１３〜１５日に米国カリフォルニア州で開催される。「浮遊ゲート型のフラッシュ・メモリーは，どのプロセス世代まで延命するのか。これが今回の主眼」（Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｃｏｍｍｉｔｔｅｅを務める東芝セミコンダクター社の吉川邦良氏）。同学…
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