Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜フラッシュの電荷リークはこう防ぐ 高速化との両立手法が続々
日経マイクロデバイス 第250号 2006.4.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第250号（2006.4.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全250字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （123kb） |
| 雑誌掲載位置 | 89ページ目 |
「ＮＶＳＭＷ ２００６」の２日目の“Ｈｉｇｈ Ｋ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃｓ／ Ｎａｎｏ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｍｅｍｏｒｉｅｓ”と題したセッションでは，フラッシュ・メモリーの微細化に伴う蓄積電荷のリークを防ぎつつ，データ書き込み速度を高速化する手法の提案が相次いだ。ベルギーＩＭＥＣが浮遊ゲート型，オランダＲｏｙａｌ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社がＳＯＮＯＳ（ｓｉｌｉｃｏｎ−ｏｘｉｄｅ−ｎｉｔ…
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