New Products 「セミコン・ジャパン2005」特集〜異物検出感度を4μmに向上
日経マイクロデバイス 第246号 2005.12.1
掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第246号(2005.12.1) |
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ページ数 | 1ページ (全541字) |
形式 | PDFファイル形式 (498kb) |
雑誌掲載位置 | 132ページ目 |
異物の検出感度が4μmのペリクル/フォトマスク異物検査装置(図5)。設計ルール90nm以降の半導体デバイス用フォトマスクを狙う。波長532nmのレーザー光を異物にあてて,散乱光をCMOSセンサーで検出する。これまで使われていたステッパに付属する異物検査装置では,感度は15〜30μm程度だったが,今回の装置は4μmにまで高めた。「特別なCMOSセンサーを使う」(レーザーテック)など,光学系を最適設…
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