Ｓｐｅｃｉａｌ Ｆｅａｔｕｒｅ Ｓｉチップが２μｍ厚へ，“薄くする”が脱微細化〜次世代プロセス● 薄化ウエーハ積層をＬＳＩ工程で実現
日経マイクロデバイス 第245号 2005.11.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第245号（2005.11.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全3004字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （220kb） |
| 雑誌掲載位置 | 53〜54ページ目 |
Ｒｏｂｅｒｔ ＭｅｒｔｅｎｓベルギーＩＭＥＣ Ｓｅｎｉｏｒ Ｖｉｃｅ Ｐｒｅｓｉｄｅｎｔ， Ｍｉｃｒｏｓｙｓｔｅｍｓ， Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ ＆ Ｐａｃｋａｇｉｎｇ Ｄｉｖｉｓｉｏｎ 今後必要となる３次元実装技術の開発を，次の３段階に分けて進めている注７）。（１）３Ｄ−ＳｉＰ（ｓｙｓｔｅｍ ｉｎ ａ ｐａｃｋａｇｅ），（２）３Ｄ−ＷＬＰ（ｗａｆｅｒ ｌｅｖｅｌ ｐａｃｋａｇｉｎｇ），（３）３Ｄ−Ｓ…
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- Ｓｐｅｃｉａｌ Ｆｅａｔｕｒｅ〜Ｓｉチップが２μｍ厚へ “薄くする”が脱微細化の基盤技術に
- Ｓｐｅｃｉａｌ Ｆｅａｔｕｒｅ 囲み Ｓｉチップが２μｍ厚へ，“薄くする”が脱微細化〜１．７μｍ厚チップの新たな効用 ＲＦ回路の高周波雑音を抑制
- Ｓｐｅｃｉａｌ Ｆｅａｔｕｒｅ Ｓｉチップが２μｍ厚へ，“薄くする”が脱微細化〜薄化技術（１）● 薄化の極限まで研削加工を採用
- Ｓｐｅｃｉａｌ Ｆｅａｔｕｒｅ Ｓｉチップが２μｍ厚へ，“薄くする”が脱微細化〜薄化技術（２）● ウエットと脱サポート材を提案
- Ｓｐｅｃｉａｌ Ｆｅａｔｕｒｅ Ｓｉチップが２μｍ厚へ，“薄くする”が脱微細化〜薄化技術（３）● 研磨ヘッドの揺動手法に独自技術
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