Ｓｐｅｃｉａｌ　Ｆｅａｔｕｒｅ　Ｓｉチップが２μｍ厚へ，“薄くする”が脱微細化〜薄化技術（２）●　ウエットと脱サポート材を提案
日経マイクロデバイス　第245号　2005.11.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第245号（2005.11.1）
ページ数	2ページ　（全2880字）
形式	PDFファイル形式　（445kb）
雑誌掲載位置	57〜58ページ目

小林一雄東京精密　半導体社　執行役員Ｂ．Ｇ．グループマーケティング担当　５μｍ厚レベルの極薄ウエーハをウエット研磨の組み合わせで実現する基礎技術を確立した。粗研削用の砥石と仕上げ研削用の砥石を新たに開発，さらにウエーハへかける圧力を低減した研磨法によってウエーハの細かいキズ（破砕層）を除去する技術も開発した。研磨においては，液体を使うウエット手法を採用したのは，ストレス・リリーフを実現しつつ，イン…