Special Feature〜Siチップが2μm厚へ “薄くする”が脱微細化の基盤技術に
日経マイクロデバイス 第245号 2005.11.1
掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第245号(2005.11.1) |
---|---|
ページ数 | 6ページ (全6580字) |
形式 | PDFファイル形式 (590kb) |
雑誌掲載位置 | 47〜52ページ目 |
大手LSIメーカー各社が競ってSiチップの厚さを薄くしている。チップを薄くすることで,プロセスの微細化に頼らずにLSIの高性能化や大容量化,そして低コスト化を実現できるためである。現行の70〜50μm厚から,2006〜2007年には50〜30μm厚へ,そして2009〜2010年には10μm厚レベルへと進める。さらに2μm以下に薄くする開発も始まっている。このような“極薄チップ”は,まずは貫通電極に…
記事の購入(ダウンロード)
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 550円(税込)
他のIDで購入する
G-Search ミッケ!は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「6ページ(全6580字)」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
(注)特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。
- Cover Story 囲み 地震からの復活〜三洋電機の構造改革 「半導体は規模を縮小しても生き残る」
- Cover Story 地震からの復活〜ミックスド・シグナル製品中心に 国内3拠点で分散生産を徹底
- Special Feature 囲み Siチップが2μm厚へ,“薄くする”が脱微細化〜1.7μm厚チップの新たな効用 RF回路の高周波雑音を抑制
- Special Feature Siチップが2μm厚へ,“薄くする”が脱微細化〜次世代プロセス● 薄化ウエーハ積層をLSI工程で実現
- Special Feature Siチップが2μm厚へ,“薄くする”が脱微細化〜薄化技術(1)● 薄化の極限まで研削加工を採用