Ｓｐｅｃｉａｌ　Ｆｅａｔｕｒｅ　Ｓｉチップが２μｍ厚へ，“薄くする”が脱微細化〜薄化技術（１）●　薄化の極限まで研削加工を採用
日経マイクロデバイス　第245号　2005.11.1

梶山　啓一ディスコ　取締役　ＰＳカンパニーアプリケーション開発部長　研削加工のみで５μｍ厚レベルの極薄ウエーハを実現する基礎技術を確立した。また，研削後のストレス・リリーフには水や薬液も使わないドライ方式を採用している。研削技術以外に，破損の恐れの少ないウエーハ搬送を可能にする技術も開発した注９）。できるだけ機械的に研削　「機械的な研削加工で最終仕上げ厚さに極めて近い値まで追い込み，ストレス・リリ…