Ｓｐｅｃｉａｌ Ｆｅａｔｕｒｅ 囲み Ｓｉチップが２μｍ厚へ，“薄くする”が脱微細化〜１．７μｍ厚チップの新たな効用 ＲＦ回路の高周波雑音を抑制
日経マイクロデバイス 第245号 2005.11.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第245号（2005.11.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全541字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （590kb） |
| 雑誌掲載位置 | 52ページ目 |
東芝は，１．７μｍ厚という極薄チップを使ってＲＦ回路の雑音を抑制することを検討している。２０１０年頃の実用化を目指す。 チップ薄化がＲＦ回路の雑音抑制に有効なのは，ＭＯＳ ＦＥＴ中で大きな雑音を通す経路をなくせるためである。ＲＦ向けのＭＯＳ ＦＥＴでは，ゲート電極への入力信号の一部がゲート電極を通らず，寄生容量を介してウエル領域に流れ込む。この信号が抵抗の高い基板領域に逃げると，大きな熱雑音（ｔ…
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