Cover Story 第3部 回線・経路 製造&設計イノベーション 第3部 要素・技術〜回路・設計●アナログ回路 高周波数と高動作電圧を両立 Siでミリ波帯SoCを構成
日経マイクロデバイス 第242号 2005.8.1
掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第242号(2005.8.1) |
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ページ数 | 2ページ (全2358字) |
形式 | PDFファイル形式 (202kb) |
雑誌掲載位置 | 82〜83ページ目 |
松澤 昭東京工業大学教授 大学院理工学研究科 2010〜2020年の「アナログ回路」におけるイノベーションは,次の四つである。(1)高い動作周波数と高い動作電圧の両立が可能なSiベースの集積素子,(2)光・電子融合素子や化合物半導体素子のSiへの集積化,(3)異種デバイスの混載が可能な低コストの3次元実装技術,(4)信号伝送のタイミングを利用してデータを送受信する技術,(5)パルス通信・ネットワー…
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