Ｃｏｖｅｒ　Ｓｔｏｒｙ　第３部　製造・材料　製造＆設計イノベーション　第３部　要素・技術〜製造・材料●エッチング　加工バラつきを原子層レベルで制御　ＬＳＩの性能変動を抑制
日経マイクロデバイス　第242号　2005.8.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第242号（2005.8.1）
ページ数	2ページ　（全3045字）
形式	PDFファイル形式　（218kb）
雑誌掲載位置	70〜71ページ目

伊澤　勝日立製作所　中央研究所　２０１０〜２０２０年の「エッチング」におけるイノベーションは，加工バラつきを原子層レベルで制御することである。そのために，エッチングと他のプロセスとの整合性を高める次の五つの技術がカギとなる（図１）。（１）表面の短周期の凹凸制御，（２）反応生成物の制御，（３）エッチング・ガスによるメタル材料の側壁変質の抑制，（４）多層レジストのドライ現像技術，（５）表面のチャージア…