Ｃｏｖｅｒ　Ｓｔｏｒｙ　第３部　基本素子・物理　製造＆設計イノベーション　第３部　要素・技術〜基本素子・物理●トランジスタ　ひずみＧｅやＩＩＩ−Ｖ族化合物を導入　異種材料の混載ＬＳＩに道
日経マイクロデバイス　第242号　2005.8.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第242号（2005.8.1）
ページ数	2ページ　（全2924字）
形式	PDFファイル形式　（197kb）
雑誌掲載位置	54〜55ページ目

高木　信一東京大学教授　大学院新領域創成科学研究科　２０１０〜２０２０年の「トランジスタ」におけるイノベーションは，「非Ｓｉ−ＯＩ（ｎｏｎ−ｓｉｌｉｃｏｎ　ｏｎ　ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）チャネルＣＭＯＳ」と考える（図１）。高移動度の非Ｓｉチャネル技術と極薄のＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎ　ｏｎ　ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）技術を融合したトランジスタである。高速・高周波対応という点でも効果を発揮するが，非Ｓｉ材料を集積…