Ｃｏｖｅｒ　Ｓｔｏｒｙ　第３部　基本素子・物理　製造＆設計イノベーション　第３部　要素・技術〜基本素子・物理●スイッチ素子　半導体ＣＭＯＳを原子スイッチで置換　トランジスタなしで論理回路を構成
日経マイクロデバイス　第242号　2005.8.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第242号（2005.8.1）
ページ数	2ページ　（全2700字）
形式	PDFファイル形式　（250kb）
雑誌掲載位置	60〜61ページ目

青野　正和物質・材料研究機構　ナノマテリアル研究所　２０１０年〜２０２０年の「スイッチ素子」におけるイノベーションは，原子スイッチの実現であろう。　原子スイッチは，Ａｇ２ＳやＣｕ２Ｓなどの固体電解質注１）材料を一方の電極とし，Ｐｔなどの金属を他方の電極とした，原子スケールの間隙をもつ二端子構造のスイッチである注２）。数ｎＷの低い消費電力で，数ＧＨｚのスイッチング速度が実現できると期待される。　ＭＯ…