Ｃｏｖｅｒ　Ｓｔｏｒｙ　第３部　トレンド　製造＆設計イノベーション　第３部　要素・技術〜トレンド●微細化　ＳｉＯ２膜をｈｉｇｈ−ｋ膜に置き換え　薄膜化による性能向上を推進
日経マイクロデバイス　第242号　2005.8.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第242号（2005.8.1）
ページ数	2ページ　（全2365字）
形式	PDFファイル形式　（224kb）
雑誌掲載位置	44〜45ページ目

岩井　洋東京工業大学教授　２０２０年までのＣＭＯＳ　ＬＳＩ微細化技術の最大のイノベーションは，高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）ゲート絶縁膜の導入と考える（図１）。ＺｒＯ２やＨｆＯ２膜がさっそうと登場した数年前に比べると，若干色あせた感のあるｈｉｇｈ−ｋ技術ではあるが，これが実現すればＭＯＳ　ＦＥＴの歴史を振り返っても，最大級のイノベーションとなるはずである。微細化の最初の壁を突破　ｈｉｇｈ−ｋ技術が最大の…