Ｉｎｓｉｄｅ ＬＳＩ 囲み イメージ・センサーにも“微細化の限界”ＭＯＳ型を中心に〜微細化の限界を先延ばし ＣＣＤ型で１．２μｍも可能に
日経マイクロデバイス 第238号 2005.4.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第238号（2005.4.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全605字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （168kb） |
| 雑誌掲載位置 | 70ページ目 |
微細化の限界とされる“１．８μｍの壁”を突破したＣＣＤ型センサーを三洋電機が開発した。１／４．５型３１０万画素で画素寸法は１．５６μｍ。フレーム・トランスファ（ＦＴ）方式で実現した。高画素で高フレーム・レートの動画は向かないが，微細化を追求しやすいことから，携帯電話機向けなど小型化を重視する市場の一角で存在感を示す可能性が高い。 ＦＴ−ＣＣＤ型の特徴は，インター・ライン（ＩＴ）方式のＣＣＤ型やＭ…
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