Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ 囲み フラッシュにコストで挑む〜エルピーダが低消費電力のＤＲＡＭに ＰＲＡＭの相変化膜を採用，量産へ
日経マイクロデバイス 第238号 2005.4.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第238号（2005.4.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全600字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （130kb） |
| 雑誌掲載位置 | 41ページ目 |
エルピーダメモリがＤＲＡＭのキャパシタを相変化膜で置き換えた新型ＤＲＡＭを開発する狙いは二つある。 一つは，消費電力の削減である。同社はこれまでリフレッシュ周期を長くする手法を採用してきた。今回は相変化膜の不揮発性を利用してリフレッシュ周期を１カ月など極端に長くする。もう一つは，微細化に伴うキャパシタ容量の低下によってＤＲＡＭのデータ保持特性の劣化が避けられなくなった際の置き換えである。新型ＤＲ…
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