Ｉｎｓｉｄｅ ＬＳＩ 囲み 「液浸で歩留まりは改善できる」ＴＳＭＣとＩＢＭが〜ＥＵＶは光源の高出力化にメド 実験機による露光結果が続々
日経マイクロデバイス 第238号 2005.4.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第238号（2005.4.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1138字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （219kb） |
| 雑誌掲載位置 | 77ページ目 |
３２ｎｍノード（ｈｐ４５）以降の本命と見られるＥＵＶ（ｅｘｔｒｅｍｅ ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）露光技術の開発が，ここへ来て急速に進展し始めた。大きく二つの動きがある。（ａ）これまで最大の課題とされていた光源の高出力化にほぼメドが付いた。（ｂ）「ＭＥＴ（ｍｉｃｒｏ ｅｘｐｏｓｕｒｅ ｔｏｏｌ）」と呼ぶ実験機による露光結果が続々と登場している。３２ｎｍノードは液浸露光陣営が高屈折率液体で狙う領域だが…
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