Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ フラッシュにコストで挑む〜ＭＲＡＭ● Ｇビットに向け，電力削減技術が続々と登場
日経マイクロデバイス 第238号 2005.4.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第238号（2005.4.1） |
|---|---|
| ページ数 | 4ページ （全5597字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （87kb） |
| 雑誌掲載位置 | 56〜59ページ目 |
ＭＲＡＭ（ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ＲＡＭ）に関して東芝と共同研究を進めているＮＥＣのシステムデバイス研究所 研究統括マネージャーの田原修一氏の講演からＭＲＡＭの最新動向について述べる。 次世代の不揮発性メモリーの重要なアプリケーションに携帯電話機がある。不揮発性メモリーを使えば，高機能化が進む携帯電話機の消費電力を低減できるからである。また，電源を切る前の状態を即座に回復する「インスタ…
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- Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ フラッシュにコストで挑む〜ＲＲＡＭ（動作原理）● メカニズムの有力な仮説を提案
- Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ フラッシュにコストで挑む〜ＰＲＡＭ● １．５Ｆ２／ビットを実現可能，３２ｎｍ以降の本命に
- Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ フラッシュにコストで挑む〜３次元メモリー● １Ｆ２／ビット以下，２００８年に５Ｇビットへ
- Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ 囲み フラッシュにコストで挑む〜エルピーダが低消費電力のＤＲＡＭに ＰＲＡＭの相変化膜を採用，量産へ
- Ｉｎｓｉｄｅ ＬＳＩ イメージ・センサーにも“微細化の限界”ＭＯＳ型を中心に〜イメージ・センサーにも“微細化の限界” ＭＯＳ型を中心に新たな三つの競争軸
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