Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ フラッシュにコストで挑む〜ＲＲＡＭ（動作原理）● メカニズムの有力な仮説を提案
日経マイクロデバイス 第238号 2005.4.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第238号（2005.4.1） |
|---|---|
| ページ数 | 6ページ （全8209字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （172kb） |
| 雑誌掲載位置 | 48〜53ページ目 |
ＲＲＡＭ（ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ＲＡＭ）の動作メカニズムに関して，産業技術総合研究所 強相関電子技術研究センター 主任研究員の澤彰仁氏の講演内容を以下にまとめる。 ＲＲＡＭのメモリー機能を担う電界誘起巨大抵抗変化（ＣＥＲ 効果 ： ｃｏｌｏｓｓａｌ ｅｌｅｃｔｒｏ−ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）のメカニズムを検証した。その結果，ＲＲＡＭの動作メカニズムを矛盾なく説明できるモデルを見いだすことができた。この…
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