Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ フラッシュにコストで挑む〜ＰＲＡＭ● １．５Ｆ２／ビットを実現可能，３２ｎｍ以降の本命に
日経マイクロデバイス 第238号 2005.4.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第238号（2005.4.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全3602字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （53kb） |
| 雑誌掲載位置 | 54〜55ページ目 |
米Ｉｎｔｅｌ Ｃｏｒｐ． Ｖｉｃｅ Ｐｒｅｓｉｄｅｎｔ， Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ａｎｄ Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ Ｇｒｏｕｐ， ａｎｄ Ｄｉｒｅｃｔｏｒ，Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ａｎｄ ＭａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇのＳｔｅｆａｎ Ｋ． Ｌａｉ氏の講演から，ＰＲＡＭ（ｐｈａｓｅ ｃｈａｎｇｅ ＲＡＭ）の部分について抜粋した。 同社はスケーラビリティおよび製造コストの点で最も有利…
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Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ フラッシュにコストで挑む〜ＲＲＡＭ（デバイス）● 多値による低コスト化，ＣＭＯＳ工程で実現
Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ フラッシュにコストで挑む〜ＲＲＡＭ（動作原理）● メカニズムの有力な仮説を提案
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Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ 囲み フラッシュにコストで挑む〜エルピーダが低消費電力のＤＲＡＭに ＰＲＡＭの相変化膜を採用，量産へ
